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        《GB/T 36357-2018 中功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規范》標準

        時(shí)間:2023-06-30 09:00:12 作者:環(huán)儀小編 點(diǎn)擊:次

        GB/T 36357-2018是中國國家標準中功率半導體發(fā)光二極管(LED)芯片技術(shù)規范的代號。該標準是由中國國家標準化管理委員會(huì )(SAC)發(fā)布的,它規定了中功率半導體發(fā)光二極管芯片的設計、制造和測試要求,旨在確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能符合相關(guān)技術(shù)要求。


        一、范圍:
        本標準規定了中功率半導體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品(以下簡(jiǎn)稱(chēng)芯片)的技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規則、包裝、運輸和儲存等。
        本標準適用于中功率半導體發(fā)光二極管芯片。


        二、試驗項目:
        溫度循環(huán)試驗、循環(huán)濕熱試驗,恒加速度試驗等。


        三、試驗設備:
        恒溫恒濕試驗箱、離心機等。

        《GB/T 36357-2018 中功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規范》標準(圖1)


        四、設備廠(chǎng)商:
        環(huán)儀儀器


        五、試驗程序(部分):

        1. 溫度循環(huán)
        溫度循環(huán)試驗按GB/T 2423.22-2012的規定進(jìn)行,試驗后符合3.5.3的規定。

        2. 循環(huán)濕熱
        循環(huán)濕熱試驗按GB/T 2423.4-2008的規定進(jìn)行,試驗后符合3.5.4的規定。

        3. 恒定加速度(適用于空腔封裝器件)
        恒定加速度試驗按GB/T 2423.15-2008的規定進(jìn)行,試驗后符合3.5.5的規定。


        該標準主要涵蓋了中功率LED芯片的分類(lèi)和命名、技術(shù)要求、試驗方法、標志、包裝、運輸和貯存、檢驗規則、標記和使用說(shuō)明等方面的內容。它包括了對中功率LED芯片尺寸、外觀(guān)、電性能、光學(xué)性能、熱性能和可靠性等方面的要求,以及對其進(jìn)行試驗、檢驗和標志的具體規定。

        通過(guò)遵循GB/T 36357-2018中的規范要求,制造商和使用者可以更好地控制和評估中功率LED芯片的質(zhì)量和性能,從而提高產(chǎn)品的可靠性和應用效果。


        標簽: 試驗標準

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