半導體器件的低氣壓試驗

環(huán)境高海拔模擬實(shí)驗室主要用于航空、航天、電子、國防、科研和其它工業(yè)部門(mén)確定電工的電子科技產(chǎn)品(包括元器件、材料和儀器儀表)在高低溫低氣壓?jiǎn)雾椈蛲瑫r(shí)作用下，對試件進(jìn)行貯存運輸可靠性試驗，并可對試件通電進(jìn)行電氣性能參數的測試。

半導體器件的低氣壓試驗，需要用到高海拔環(huán)境模擬實(shí)驗室，下面我們了解一下該試驗方法

試驗設備：環(huán)境高海拔模擬實(shí)驗室

設備品牌：環(huán)儀儀器

產(chǎn)品型號：HYLA-2000

試驗標準：GB/T 4937.2-2006

1.試驗程序

樣品應按規定放置在密封室內，并按規定把氣壓減小到表1中的某個(gè)試驗條件。把樣品保持在規定的氣壓下，對它們進(jìn)行規定的試驗。在試驗期間及試驗前的20 min內，試驗溫度應為25℃±10℃。對器件施加規定的電壓，在從常壓到規定的最低氣壓并恢復到常壓的整個(gè)過(guò)程中監測器件是否出現故障。

2.試驗測量

連接器件，進(jìn)行測量，并且在整個(gè)抽氣過(guò)程中施加規定的電壓。用微安表或示波器監視施加最大電壓的器件引出端，從直流到30MHz范圍內看其是否出現電暈放電電流。在未放置試驗器件的情況下，施加適用的試驗條件，校準試驗線(xiàn)路電流，以保證試驗數據真實(shí)反映被試器件的特性。

3.暴露后處理

在試驗的最后，將樣品從密封室中移出并在標準大氣條件下保持2 h~24 h。樣品上吸附的冰和水汽應預先除去。