《NB/T 42104.2-2016 地面用晶體硅光伏組件環(huán)境適應性測試要求 第2部分：干熱氣候條件》標準

《地面用晶體硅光伏組件環(huán)境適應性測試要求第2部分：干熱氣候條件》是《地面用晶體硅光伏組件環(huán)境適應性測試要求》的第二部分，該標準由國家能源局發(fā)布，編號為NB/T 42104.2-2016。

此標準規定了干熱氣候條件下地面用晶體硅光伏組件的環(huán)境適應性測試要求，包括測試條件、測試項目和測試方法等。

一、范圍：
本部分規定了在干熱氣候條件下安裝、使用的光伏組件的測試要求。
本部分適用于安裝和使用在干熱氣候條件下的地面用晶體硅光伏組件。

二、試驗項目：
紫外線(xiàn)預處理試驗、熱循環(huán)試驗、濕凍試驗、鹽霧試驗、砂塵試驗等。

三、試驗設備：
紫外老化試驗箱、恒溫恒濕試驗箱、鹽霧試驗箱、砂塵試驗箱等。

四、設備廠(chǎng)商：
環(huán)儀儀器

五、試驗程序（部分）：

熱循環(huán)試驗：
a)在室溫下將組件裝入氣候室。如組件的邊框導電不好，則將其安裝在一金屬框架上來(lái)模擬敞開(kāi)式支承架。

b)將溫度傳感器接到溫度監測儀上，將組件的正極引出端接到提供電流的儀器的正極，負極連接到其負極。在400次熱循環(huán)試驗中，在組件溫度超過(guò)25℃時(shí)，保持對組件施加等于STC最大功率點(diǎn)電流±2%大小的電流，其他時(shí)候電流應降至不超過(guò)1%?Imp。對于100 次的熱循環(huán)試驗，僅施加電流不超過(guò)1%?lmp。

c)關(guān)閉氣候室，一般氣候條件下的熱循環(huán)試驗按圖9的輪廓，使組件的溫度為-40℃±2℃和+90℃±2℃之間循環(huán)。最高和最低溫度之間溫度變化的速率不超過(guò)100℃/h，并且組件溫度在每個(gè)極端溫度下應保持穩定至少 30min。除非組件的熱容量很大需要更長(cháng)的循環(huán)時(shí)間外，一次循環(huán)時(shí)間不超過(guò)6h，循環(huán)的次數見(jiàn)圖1相應的方框。

d）在整個(gè)試驗過(guò)程中，記錄組件的溫度，并監測通過(guò)組件的電流。

注:有并聯(lián)電路的組件，如果其中一路斷開(kāi)，會(huì )引起電壓或電流的不連續，但不會(huì )導致其為零。