《GB/T 4937.2-2006 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第2部分:低氣壓》標準

GB/T 4937.2-2006《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第2部分:低氣壓》是中國國家標準，規定了半導體器件在低氣壓環(huán)境下進(jìn)行的機械和氣候試驗方法。

該標準分為7個(gè)部分，包括試驗目的、試驗條件、試驗方法、試驗過(guò)程、試驗后的評定、試驗報告和試驗注意事項等內容。試驗目的是為了評估半導體器件在低氣壓條件下的性能和可靠性。

一、范圍：
本部分適用于半導體器件的低氣壓試驗。本項試驗的目的是測定元器件和材料避免電擊穿失效的能力，而這種失效是由于氣壓減小時(shí)，空氣和其他絕緣材料的絕緣強度減弱所造成的。本項試驗僅適用于工作電壓超過(guò)1 000 V的器件。
本項試驗適用于所有的空封半導體器件。本試驗僅適用于軍事和空間領(lǐng)域。
本項低氣壓試驗方法和IEC 60068-2-13大體上一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，使用本部分條款。

二、試驗設備：
高低溫低氣壓試驗箱

三、試驗要求：
本試驗所需儀器設備包括一臺真空泵、一個(gè)合適的密封室(必要時(shí),該密封室還應具備能觀(guān)察樣品的裝置)、一臺可用于測量密封室模擬高度的氣壓表和--只能在直流到30 MHz內檢測電流的微安表或示波器。

低氣壓試驗是指在大氣壓力低于標準大氣壓的環(huán)境中進(jìn)行的試驗。半導體器件在航空航天、高山、太空等環(huán)境中都可能遭受低氣壓的影響，因此進(jìn)行低氣壓試驗可以模擬這些特殊環(huán)境下的情況，檢驗器件在極端條件下的性能和可靠性。

該標準的實(shí)施可以提高半導體器件的質(zhì)量和可靠性，同時(shí)也可以保證器件在極端環(huán)境下的工作性能。